平台与科研
MOCVD项目组
2021-09-03
金属有机气相沉积系统(MOCVD)
MOCVD主要包括耦合喷淋式、高速旋转式、行星式水平式三种结构反应室。不同的反应室结构有着不同的气流场模型。行星式流场均匀性最佳，耦合喷淋式、高速旋转式稍差。
氮化镓材料异质外延核心技术
氮化镓异质外延技术主要包括渐变AlGaN方案、GaN/AlN超晶格方案、渐变超晶格复合方案、低温AlN插入层方案。不同的外延方案有着不同的外延特征，渐变AlGaN方案最成熟，GaN/AlN 超晶格方案最稳定，各自有不同的应用场景。
外延研究成果
掌握不同外延技术方案，解决氮化镓异质外延应力及均匀性问题。
掌握大尺寸硅基氮化镓电力电子材料外延技术，不同尺寸外延技术全面覆盖。
功率氮化镓性能评估
芯片研究成果:掌握六英寸硅上GaN HEMT大电流芯片流片工艺；掌握六英寸硅上GaN HEMT芯片低漏电技术，栅漏小于1nA，实现高栅控能力。掌握六英寸硅上GaN HEMT芯片大功率高导通技术，输出电流达到10A级别。
MOCVD应用范围
- 激光器开发；
- 电力电子器件；
- 射频器件；
- 发光二极管；
- 光电探测器开发；
获奖情况
第二十三届全国发明展览会·一带一路暨金砖国家技能发展与技术创新大赛荣获“发明创业奖·项目奖”银奖。
项目组负责人：王琦
英国谢菲尔德大学博士、博士后，加拿大麦吉尔大学博士后，材料科学副研究员，专注于第三代半导体领域科研工作10余年，取得了丰硕的研究成果。
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