Intel于10月23日（美国时间）在美国俄勒冈州希尔斯伯勒的Intel Gordon Moore Park的最先进的半导体技术开发和试验设施——D1X工厂宣布，计划在2023年底前引入全球首款高数值孔径（NA）EUV设备。这是公司首席执行官Pat Gelsinger在9月份宣布的“未来5年在美国投资超过1000亿美元”的计划的一部分，用于D1X的2纳米以下工艺的开发以及一系列设备升级。

美国俄勒冈州希尔斯伯勒市英特尔戈登摩尔公园的尖端开发和原型制造工厂 D1X 的外观，ASML 的高数值孔径 EUV 曝光设备将于 2023 年底安装到该工厂。

这笔投资预计将获得美国俄勒冈州、华盛顿县和希尔斯伯勒市的支持，以及美国商务部推进的“CHIPS法案”的资助。Intel表示，计划在4年内实现“5个技术节点”，并希望到2025年重新获得制程技术的领导地位。引入高NA EUV曝光设备是此计划的一部分。尽管该公司最近在爱尔兰开始了其最新生产工艺“Intel 4”的大规模生产，但仍在积极推进微型化，目标是在4年内实现5个技术节点。

Intel的执行副总裁兼技术开发集团总经理Ann Kelleher表示：“Intel在俄勒冈州已经专注于创新和技术进步近50年，并将在俄勒冈州和美国的CHIPS法案的支持下，继续努力恢复在半导体研发和制造领域的领先地位。这次对开发和试制线的投资将进一步巩固这一努力。”

引进的是否是ASML的高NA EUV曝光设备原型？

根据提供EUV曝光设备的ASML的路线图，高NA (NA=0.55) EUV曝光设备的原型预计在2023年底发布，量产机预计在2025-26年发布。因此，Intel今年底计划引进的很可能是这款原型“NXE:5000模型”。Intel在2018年就已经向ASML下单了这款NXE:5000，而且在2022年1月也已经公开宣布了对量产机的预定。

此外，据熟悉半导体行业的消息人士表示，比利时的imec和Intel似乎在争夺这款原型机的引进中产生了竞争。目前ASML与imec合作在荷兰的ASML总部附近建立了High-NA EUV Lab，并与东京电子(TEL)和JSR等多家包括日本在内的设备和材料合作伙伴共同进行2纳米以下的版图制程开发，Intel也参与了这个项目。据说，该实验室内安装的实验机器可以被访问。

ASML的EUV曝光设备路线图