作为一种宽带隙半导体材料，金刚石集力学、电学、热学、声学、光学、耐蚀等优异性能于一身，是目前最有发展前途的第三代半导体材料之一，在高温大功率电力电子器件、微波功率 器件、深紫外光和高能粒子探测器、深紫外发光器件、单光子光源、生物和化学传感器、微机电（ MEMS ）和纳机电（ NEMS ）器件、自旋电子学等众多领域有着极大的应用潜力。

高功率电力电子器件

金刚石半导体材料的禁带宽度达5.47 eV，热导率是已知半导体材料中最高的，因而可以满足未来大功率、强电场和抗辐射等方面的需求，是制作功率半导体器件的理想材料。

深紫外探测器、高能粒子探测器

在深紫外光电子领域，由于金刚石的大禁带宽度、高温工作、耐辐照特性，在应用于极端条件下的深紫外探测器、高能粒子探测器等方面有着先天性的优势。也是基于上述的原因，而且在工艺上可以避开尚未解决的金刚石掺杂问题，所以金刚石探测器是目前比较成熟的、已经实现产品化的唯一半导体金刚石器件有关的产品种类。

衬底材料

金刚石还可以作为GaN功率器件的衬底，以帮助其散热，实现更高频率和更高功率。从2008年开始，欧盟投入资金推动化学气相沉积方法（CVD）在GaN器件背面生长金刚石。随后美国国防部高级研究计划局、海军研究办公室等投入大量资金，联合大学（英国布里斯托大学、美国佐治亚理工、斯坦福等）、半导体公司（元素六、雷神、Qorvo、Lockheed Martin、Northrop Grumman等）大力推动金刚石基GaN器件的发展。但由于价格高昂，使得金刚石衬底的氮化镓器件的应用被限制在国防和航天等领域。

来源：微纳研究