材料来源：中国科学院半导体研究所

近日，新加坡南洋理工大学高炜博教授与中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室张俊研究员合作，利用施主-受主对(DAP)模型解释了二维MoSe2/WSe2莫尔异质结中密集且尖锐的局域层间激子(IX)发射现象，并建立了DAP IX的动力学模型，很好地解释了层间激子寿命与发射能量的单调依赖关系。2023年9月18日，相关研究成果以“MoSe2/WSe2莫尔异质结中的层间施主-受主对激子”(Interlayer donor-acceptor pair excitons in MoSe2/WSe2 moiré heterobilayer)为题在线发表于《自然·通讯》(Nature Communications)(https://doi.org/10.1038/s41467-023-41330-6)。张俊研究员和高炜博教授为论文的共同通讯作者，新加坡南洋理工大学Hongbing Cai博士为论文第一作者，半导体所来嘉敏博士为论文第四作者。

DAP跃迁起源于电离施主与受主之间的库伦相互作用。基于DAP跃迁模型，发射光子的能量可以表示为：

其中EA和EB分别为缺陷能级的能量，Rm为第m 近邻的施主与受主之间的距离，由晶体结构和晶格常数决定， 表示施主与受主之间的库伦相互作用。分立的Rm值导致了光谱中观察到的一系列尖峰，随着Rm增大，尖峰之间的间距减小，变得不可分辨，形成一个宽峰。2022年，张俊研究组与高炜博教授和澳大利亚悉尼科技大学Igor Aharonovich教授合作，提出并通过实验证明了hBN中宽谱密集的单光子发射的DAP跃迁机制，为设计基于hBN的量子光源和量子器件提供了基础。相关研究成果以“Donor-Acceptor Pair Quantum Emitters in Hexagonal Boron Nitride”发表在Nano Letters上(22, 1331–1337 (2022)，https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.1c04647)。在最近的工作中，研究团队将DAP模型推广到二维MoSe2/WSe2莫尔异质结中，很好地解释了密集且尖锐的局域层间激子(IX)发射现象，并建立了DAP IX的动力学模型，揭示了层间激子寿命与发射能量的单调依赖关系。

二维过渡金属硫族化物(TMDs)异质结是研究强相关电子现象和量子光电子学应用的理想平台。由于晶格常数的差异或特定的转角堆垛形成的莫尔超晶格不仅可以增强电子-电子相互作用，还会产生局域的层间激子(IX)，即电子和空穴分别位于不同层中。在TMDs莫尔异质结的荧光谱中的一个有趣现象是可以观察到许多尖锐且密集的IX发射峰。尽管磁光光谱的实验结果显示其中某些峰与带边激子态相关，但无法解释如此密集的(高达50条以上)的发射峰。探究IX的发射机制对于相关的相操控以及单光子发射工程是非常紧迫的关键问题。

研究团队首先提取出IX发射峰的峰位，并与DAP模型预测的峰位进行比较。如图1所示，实验结果中75%以上的峰都可以与理论计算的峰位匹配得很好，说明了DAP模型与实验结果的一致性。进一步，研究团队通过能量和时间分辨的荧光测试证实了DAP模型的合理性。时间分辨的荧光结果可以由双指数衰减函数拟合，说明至少有两种不同的态参与发光，即DAP IX态和带边的IX态。提取出的衰减速率k1和k2在特定能量下达到最大值，这种行为可以由DAP IX的动力学以及DAP IX与带边IX的耦合来解释。对于的情况，衰减速率可以近似表示为，，其中式中kDAP为DAP IX总衰减速率，knr为DAP IX的非辐射衰减速率，kr0为DAP IX最大辐射衰减速率，RB为施主(受体)玻尔半径，kIX为带边IX衰减速率，D为带边IX与DAP IX之间的耦合率。考虑到DAP和带边IX之间的耦合，RB和D的值取决于这两个IX态之间的能量差。当两者能量相同时，耦合率最大。与带边激子的耦合会增加DAP IX的波尔半径，当峰值能量等于带边IX能量时，RB和D都达到最大值，由此可以得到k1和k2的最大值。如图2所示，该模型与实验结果非常吻合，进一步证实了DAP IX机制。此外，在功率依赖的时间分辨测量中，衰减速率表现出先减小随后增加的趋势，这也可以由DAP IX和带边IX之间的退耦合解释：在小功率下DAP IX与带边IX共振，随着功率增加二者能量差增大，导致两种激子态退耦合，因此波尔半径减小，k1减小；随着功率继续增加，DAP IX和带边IX退耦合效应不再显著，功率引起的非辐射衰减速率增加占主导作用。

这一工作为二维异质结中的局域层间激子的发射机制提供了新见解，揭示了莫尔超晶格中的无序态(DAP IX)与超晶格势态(带边IX)之间的相互作用。在应用方面，局域IX发射的多峰特性和电场可调性表明它是一个多功能的量子发射平台。可以通过控制样品大小来减小发射峰数量，进一步还可以通过控制原子位置的方法按需产生和操纵层间激子发射，这对于基于二维半导体的量子信息和模拟有着重要的意义。

图1. DAP IX 荧光光谱。(a-c) IX PL光谱。(d) 范德华异质结中的DAP IX示意图。(e-g) 理论计算的DAP IX峰位和实验结果比较。(h) DAP模型的拟合度。

图2. 局域IX发射的寿命能量关联。(a) IX荧光光谱随时间变化。(b)实验装置。(c-f) 能量和时间分辨的局域IX发射，及对应的衰减速率和能量的关系