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全国半导体材料标准工作会议在莞顺利召开
   编辑:管理员   浏览:133  时间:2017-11-9 

全国半导体材料标准工作会议于2017年10月26—27日在广东省东莞市顺利召开。出席会议的有中国有色金属工业标准计量质量研究所、中国电子科技集团公司第十三研究院所、东莞市中镓半导体科技有限公司、北京有色金属研究总院、内蒙古神舟硅业有限公司、中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、南京大学等35家企事业单位和科研院所的51位标委会委员、专家及标准编制单位代表参会。全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会秘书长贺东江、北京大学东莞光电研究院副院长王琦出席了开幕式。

会议开幕式
(图为会议开幕式)

受东莞市中镓半导体科技有限公司董事长及北京大学东莞光电研究院常务副院长张国义教授委托,王琦博士对来莞参加会议的委员表示问候,对专家同仁们从各地来到东莞参会表示欢迎,并预祝会议圆满成功。贺东江秘书长对本次会议协办方的大力支持表示感谢。

会议期间与会人员对《半导体材料牌号表示方法》等16项半导体材料国家、行业标准进行审定、预审和讨论。特别是在硅单晶、多晶硅的多项标准审定的同时,还对方法标准“氮化镓衬底片载流子浓度的测试 拉曼光谱法”进行认真细致的讨论、审定。

目前以氮化镓为代表的第三代半导体材料迅速发展,应用前景十分可观。与此相比,第三代半导体材料的标准立项略显滞后,氮化镓等材料的标准制订迫在眉睫。相信半导体材料领域会有更多的第三代半导体的国家标准、行业标准立项、发布。在第一代、第二代半导体材料标准化工作多年所奠定的基础上,氮化镓等材料的产品标准、方法标准乃至术语标准等的编制工作一定逐步扎实推进,并取得较好结果,更好地促进我国宽禁带半导体材料的研发、制备及市场应用的同步发展。

东莞市中镓半导体材料科技有限公司和北京大学东莞光电研究院愿意借此机会在这方面做出应有的努力和贡献。


与会人员参观北京大学东莞光电研究院


(图为与会成员参观北京大学东莞光电研究院)


与会成员参观东莞市中图半导体科技有限公司
(图为与会成员参观东莞市中图半导体科技有限公司)

与会人员合影
(图为与会成员合影)

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